反铁磁材料在信息管束与内存芯片本领领域具有庸碌驾御出路。据最新一期《当然》杂志，好意思国麻省理工学院科研团队仅使用光就在反铁磁材料中结束了磁态调度，创造出一种新式且捏久的磁态。这一本领为筹商东说念主员提供了放浪磁性的浩大器具，有助于盘算更快、更小、更节能的内存芯片。

　　反铁磁体由自旋标的轮换的原子构成，每个原子的自旋标的齐与其相邻原子的自旋标的违抗。这种上、下、上、下的章程基本对消了自旋，使反铁磁体总磁化强度为零，从而不受任何磁力影响。

　　若是能用反铁磁材料制成内存芯片，就可将数据“写入”材料的微不雅区域，即磁畴。在给定磁畴中，自旋标的的某种成就（举例，上—下）代表经典的比特“0”，而另一种成就（下—上）则代表“1”。在这么的芯片上写入数据，能抵抗外部磁场的侵扰。

　　由于磁畴的幽静性，反铁磁体可整合到过去的内存芯片中，使这些芯片能耗更少、占用空间更小，同期存储和管束的数据更多。然则，将反铁磁材料驾御于存储本领的一个主要欺压在于，何如以可靠相貌放浪反铁磁体，使其从一种磁态调度到另一种磁态。

　　这次，团队使用太赫兹激光器顺利刺激反铁磁材料中的原子。激光器的震动频率被调至与材料原子间的当然振动相匹配，从而改变原子自旋的均衡，使其向一种新的磁态编削。

　　所用材料为FePS3——一种在临界温度（约118K）时编削为反铁磁相的材料。他们将合成的FePS3样品置于真空室中，冷却至118K及以下温度。然后，他们让一束近红外光穿过有机晶体，将光调度为太赫兹频率，从而产生太赫兹脉冲。之后，他们将这束太赫兹光瞄准样品。

　　在屡次重叠履行中，团队不雅察到开云体育，太赫兹脉冲顺利地将蓝本为反铁磁性的材料切换到了一个新的磁态。这一瞥变出乎料念念地捏久，以至在激光关闭后仍能捏续数毫秒。